销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

功率：230mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：260mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

功率：230mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：260mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1