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    集射极击穿电压(Vceo): 50V
    行业应用: 工业
    直流增益(hFE@Ic,Vce): 80@5mA,10V
    集电极电流(Ic): 100mA
    当前匹配商品:2700+
    商品信息
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    操作
    onsemi 数字晶体管 NSVBC144EPDXV6T1G 起订2000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVBC144EPDXV6T1G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    功率:500mW

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SDTC144EET1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 SDTC144EET1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    功率:200mW

    ECCN:EAR99

    输入电阻:47kΩ

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2233T1G 起订57个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2233T1G 起订57个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    功率:230mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMUN5237T1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMUN5237T1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:202mW

    ECCN:EAR99

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    输入电阻:47kΩ

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2135LT1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2135LT1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"15+":129500}

    输入电阻:2.2kΩ

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMUN5235T1G 起订33个装
    onsemi 数字晶体管 SMUN5235T1G 起订33个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    功率:202mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA114YET1G 起订35个装
    onsemi 数字晶体管 DTA114YET1G 起订35个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    功率:200mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2233LT1G 起订47个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2233LT1G 起订47个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 EMD59T2R 起订1000个装
    ROHM 数字晶体管 EMD59T2R 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:150mW

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5236DW1T1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5236DW1T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    ECCN:EAR99

    功率:250mW

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA143ZM3T5G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 DTA143ZM3T5G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:260mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5114DW1T1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5114DW1T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    功率:250mW

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2135LT1G 起订500个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2135LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC124XDXV6T1G 起订500个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC124XDXV6T1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    ECCN:EAR99

    功率:500mW

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTC115EET1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 DTC115EET1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"04+":24000,"05+":36000,"06+":92990,"08+":21000,"10+":2100000,"11+":3000,"14+":621000,"16+":48603,"17+":18000,"19+":12000,"21+":18000}

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    输入电阻:100kΩ

    功率:200mW

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2113LT1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2113LT1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"08+":13500,"09+":12000,"10+":9000,"11+":627000,"12+":11000,"15+":48000,"21+":46500,"22+":123000,"23+":54000}

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC144EDXV6T5G 起订5000个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC144EDXV6T5G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"09+":2332,"22+":48000}

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    ECCN:EAR99

    功率:500mW

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2234LT1G 起订26个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2234LT1G 起订26个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    输入电阻:22kΩ

    功率:246mW

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMUN2214T1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 SMUN2214T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    功率:230mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2137LT1G 起订28个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2137LT1G 起订28个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    输入电阻:47kΩ

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTC143ZET1G 起订2609个装
    onsemi 数字晶体管 DTC143ZET1G 起订2609个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    功率:200mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC043ZMT2L 起订300个装
    ROHM 数字晶体管 DTC043ZMT2L 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:150mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5235T1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5235T1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    功率:202mW

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5313DW1T1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5313DW1T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:250mW

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTA023JUBTL 起订100个装
    ROHM 数字晶体管 DTA023JUBTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    功率:200mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC023JEBTL 起订28个装
    ROHM 数字晶体管 DTC023JEBTL 起订28个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2KΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMUN5315DW1T1G 起订16个装
    onsemi 数字晶体管 SMUN5315DW1T1G 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:187mW

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi 数字晶体管 MUN5114DW1T1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5114DW1T1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:250mW

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMUN5133T1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 SMUN5133T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:202mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

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