采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
特征频率：180MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：360mW
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
特征频率：130MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
特征频率：150MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
功率：260mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
功率：100mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
特征频率：180MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
功率：340mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
特征频率：180MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
功率：340mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"14+"：13700，"15+"：30000，"19+"：171000，"20+"：3000}
特征频率：150MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
特征频率：180MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
功率：340mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
特征频率：180MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
功率：340mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
特征频率：180MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
功率：340mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：360mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：340mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：360mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：340mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"15+"：92242}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：360mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：405000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：340mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：340mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：130MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
