采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：187mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
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功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
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功率：187mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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功率：187mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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功率：339mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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功率：339mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：187mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：187mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV€-150mV
集电极电流(Ic)：100mA€-100mA
特征频率：250MHz€250MHz
晶体管类型：NPN/PNP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
输入电阻：47KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：64000，"08+"：48300，"10+"：8000，"14+"：1000，"15+"：8000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
