采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"20+"：7850}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：339mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：1.1V@2mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：800mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：800mV@1mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：700mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"05+"：35990，"06+"：48000，"08+"：24000，"13+"：200}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"14+"：3000，"15+"：57000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"17+"：6000，"20+"：87000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：385mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：1.5V@1mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：100kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"19+"：200，"22+"：24000}
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：1.1V@2mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：800mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.1
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"09+"：2332，"22+"：48000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"08+"：77391，"14+"：97750}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：339mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：88000，"15+"：40000，"17+"：48000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：339mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"13+"：48000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
