销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

功率：360mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"22+"：12000}

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"19+"：30000}

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：22kΩ

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

功率：360mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

输入电阻：22kΩ

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：22kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

特征频率：230MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：2.7V@2mA，0.3V

电阻比：0.47

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

最大输入电压(VI(off))：1.7V@100μA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个PNP-预偏置

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

输入电阻：22kΩ

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：22kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

特征频率：230MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：22kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个PNP-预偏置

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：22kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

特征频率：230MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

特征频率：180MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：22kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：360mW

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

输入电阻：22kΩ

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：22kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

特征频率：230MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

功率：360mW

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

输入电阻：22kΩ

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：2.7V@2mA，0.3V

电阻比：0.47

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

最大输入电压(VI(off))：1.7V@100μA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：30000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：360mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1