销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：320mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"08+"：500000}

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

特征频率：150MHz

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：330mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

特征频率：150MHz

集电极电流(Ic)：500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

功率：325mW

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

功率：320mW

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

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集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

输入电阻：10kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

输入电阻：10kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：320mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：47@50mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"18+"：40000，"21+"：5000}

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

特征频率：150MHz

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

功率：325mW

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：47@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1