销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：100kΩ

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

输入电阻：100kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.5V@1mA，0.3V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"04+"：24000，"05+"：36000，"06+"：92990，"08+"：21000，"10+"：2100000，"11+"：3000，"14+"：621000，"16+"：48603，"17+"：18000，"19+"：12000，"21+"：18000}

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：100kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

输入电阻：100kΩ

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"19+"：79997}

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：100kΩ

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

输入电阻：100kΩ

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

输入电阻：100kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"09+"：200，"12+"：15275，"13+"：204000，"9999"：2500}

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：150mW

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：100kΩ

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"17+"：72000，"12+"：207000，"19+"：2899，"06+"：30000}

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

功率：246mW

输入电阻：100kΩ

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

功率：230mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

输入电阻：100kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

输入电阻：100kΩ

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

输入电阻：100kΩ

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：260mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：100kΩ

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

输入电阻：100kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.5V@1mA，0.3V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1