销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：105000，"17+"：102000，"18+"：6000，"19+"：219000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：6000，"16+"：99321，"20+"：15000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：63000，"12+"：15000，"16+"：54000，"17+"：171000，"21+"：225000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@5mA，5V

集电极电流(Ic)：70mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"14+"：6000，"16+"：99321，"20+"：15000}

特征频率：150MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

功率：250mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@5mA，5V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

特征频率：150MHz

电阻比：47千欧

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

功率：250mW

输入电阻：10千欧

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：54194，"17+"：10，"18+"：18000，"22+"：11885}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1