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包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE703G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"08+":872,"09+":1001,"11+":2373,"12+":500,"14+":2492,"18+":200}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE703G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD680G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD679AS
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE702G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE703G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":2500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE703G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD679AS
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":350,"22+":2186}
销售单位:个
规格型号(MPN):BD679G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":350,"22+":2186}
销售单位:个
规格型号(MPN):BD679G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD679AS
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):JANTX2N6058
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):12A
功率:150W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:55℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@120mA,12A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@6A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6301
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:75W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@4A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE702G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"08+":872,"09+":1001,"11+":2373,"12+":500,"14+":2492,"18+":200}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE703G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):MJE703G
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
集电极电流(Ic):4A
集射极击穿电压(Vceo):80V
工作温度:55℃~150℃
晶体管类型:PNP
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6036G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
特征频率:150MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电集截止电流(Icbo):10µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
集电极电流(Ic):1A
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
功率:1W
工作温度:55℃~200℃
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6301
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:75W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@4A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: