销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):500mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10μA
工作温度:-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500mA,500μA
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@10V,150mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
销售单位:个
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10μA
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@10V,150mA
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):500mA
工作温度:-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500mA,500μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD6039T4G
直流增益(hFE@Ic,Vce):500@4V,2A
集电集截止电流(Icbo):10μA
功率:1.75W
集电极电流(Ic):4A
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2A,8mA
工作温度:-65℃~+150℃
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: