包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SBSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP101G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP111G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD6039T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP111G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP111G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDX53BG

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：8A

功率：65W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD6039T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD6039T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDX33BG

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：70W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@6mA，3A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SBSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD6039T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：20，"10+"：86，"11+"：260，"12+"：100，"13+"：230，"15+"：133，"MI+"：606}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP111G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1