销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1351

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：12A

功率：30W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：500，"18+"：2528，"19+"：277}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1000，"22+"：8550}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：500，"18+"：2528，"19+"：277}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：6000，"23+"：13997}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6035G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6024

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：8A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1257

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1351

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：12A

功率：30W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6023

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：6A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：80MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6024

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：8A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6023

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：6A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：80MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1351

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：12A

功率：30W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1000，"22+"：8550}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1351

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：12A

功率：30W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：6000，"23+"：13997}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6035G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1257

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6024

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：8A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：6000，"23+"：13997}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6035G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1257

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1257

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD677G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1