品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"06+":40000}
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
功率:338mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:260mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
功率:254mW
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"22+":11210,"23+":24000}
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
功率:200mW
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
ECCN:EAR99
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
功率:254mW
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: