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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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特征频率：250MHz
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晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"17+"：2592，"21+"：15000}
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：800mV@10mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：700mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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