销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@10mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@10mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：300mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@10mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：300mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：310mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

功率：350mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：360mW

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：310mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"09+"：53500}

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

功率：250mW

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

特征频率：130MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1