销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8@5mA，10V

功率：246mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，5V

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"09+"：3124，"10+"：19543，"13+"：696，"14+"：57000}

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"15+"：129500}

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

晶体管类型：PNP

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8@5mA，10V

功率：202mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

输入电阻：2.2kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

ECCN：EAR99

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"06+"：96000，"12+"：102000}

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8@5mA，10V

功率：230mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

特征频率：180MHz

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：360mW

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"17+"：64000，"04+"：17150，"06+"：89100}

输入电阻：2.2kΩ

功率：260mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"06+"：25333，"13+"：255000，"23+"：9000}

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

功率：150mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1