品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2670
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€70W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1228pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH60N20L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2670
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€70W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1228pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH48P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:462W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTR48P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:93mΩ@24A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTR48P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:93mΩ@24A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2670
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€70W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1228pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC2612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:234pF@100V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:725mΩ@1.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7450DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7450DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7450DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7450DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP48N20T
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@24A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH60N20L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1228pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH60N20L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC2612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:234pF@100V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:725mΩ@1.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH48P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:462W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTR48P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:93mΩ@24A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC2612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:234pF@100V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:725mΩ@1.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7450DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7450DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC2612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:234pF@100V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:725mΩ@1.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7450DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ60N20L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7450DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7450DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1228pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2670
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€70W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1228pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1228pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: