品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":275000,"15+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA1740TP-E1-AZ
功率:1W€22W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:420pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":275000,"15+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA1740TP-E1-AZ
功率:1W€22W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:420pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
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连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":275000,"15+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA1740TP-E1-AZ
功率:1W€22W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:420pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8.6pF@25V
导通电阻:260Ω@10V,4A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP9N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8.6pF@25V
导通电阻:270mΩ@10V,4A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP9N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8.6pF@25V
导通电阻:270mΩ@10V,4A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP9N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8.6pF@25V
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漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: