采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5094pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5094pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5094pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5094pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS100N20HGC0
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：234nC
输入电容：4.057nF
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：161pF
导通电阻：38mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS100N20IDC0
工作温度：-55℃~+150℃
功率：187.5W€375W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：130nC
输入电容：5.871nF
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF
导通电阻：23mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5094pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5094pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN110N20L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：735W
阈值电压：4.5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：500nC@10V
包装方式：管件
输入电容：23000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5094pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5094pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M16LFLLG
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7220pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS100N20HGC0
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：234nC
输入电容：4.057nF
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：161pF
导通电阻：38mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5094pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD100N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：390W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
输入电容：9.65nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：57pF@25V
导通电阻：23mΩ@10V，40A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD100N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：390W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
输入电容：9.65nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：57pF@25V
导通电阻：23mΩ@10V，40A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD100N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：390W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
输入电容：9.65nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：57pF@25V
导通电阻：23mΩ@10V，40A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5094pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200P223
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5094pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD100N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：390W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
输入电容：9.65nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：57pF@25V
导通电阻：23mΩ@10V，40A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
