采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：905，"22+"：4000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：905，"22+"：4000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5000，"24+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：905，"22+"：4000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5076}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5000，"24+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
