销售单位:个
规格型号(MPN):STB75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STB75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STB75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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