采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A-252
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW75NF20
工作温度：-50℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3260pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@37A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@10V，3.1A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：234nC@10V
输入电容：4.057nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，28A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NPBF
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，11A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：52nC@-10V
输入电容：1.2nF@-25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
反向传输电容：81pF@-25V
导通电阻：340mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT18N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT18N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：52nC@-10V
输入电容：1.2nF@-25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
反向传输电容：81pF@-25V
导通电阻：340mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP18N20
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NPBF
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，11A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS100N20HGC0
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：234nC
输入电容：4.057nF
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：161pF
导通电阻：38mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS100N20IDC0
工作温度：-55℃~+150℃
功率：187.5W€375W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：130nC
输入电容：5.871nF
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF
导通电阻：23mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A-252
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
