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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
