包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB117N20NFD

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：87nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：84A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC320N20NS3 G

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：4V@90µA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：2350pF@100V

连续漏极电流：36A

类型：N沟道

导通电阻：32mΩ@36A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB107N20N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：87nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：7100pF@100V

连续漏极电流：88A

类型：N沟道

导通电阻：10.7mΩ@88A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB107N20N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：87nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：7100pF@100V

连续漏极电流：88A

类型：N沟道

导通电阻：10.7mΩ@88A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS2672

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：2V

栅极电荷：43nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3.9A

类型：MOSFET

导通电阻：70mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC320N20NS3 G

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：4V@90µA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：2350pF@100V

连续漏极电流：36A

类型：N沟道

导通电阻：32mΩ@36A，10V

漏源电压：200V

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包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB107N20N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：87nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：7100pF@100V

连续漏极电流：88A

类型：N沟道

导通电阻：10.7mΩ@88A，10V

漏源电压：200V

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包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS2672

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：2V

栅极电荷：43nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3.9A

类型：MOSFET

导通电阻：70mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB107N20N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

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输入电容：7100pF@100V

连续漏极电流：88A

类型：N沟道

导通电阻：10.7mΩ@88A，10V

漏源电压：200V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB107N20N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：87nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：7100pF@100V

连续漏极电流：88A

类型：N沟道

导通电阻：10.7mΩ@88A，10V

漏源电压：200V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC320N20NS3 G

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

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包装方式：Reel

输入电容：2350pF@100V

连续漏极电流：36A

类型：N沟道

导通电阻：32mΩ@36A，10V

漏源电压：200V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC320N20NS3 G

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：4V@90µA

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包装方式：Reel

输入电容：2350pF@100V

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类型：N沟道

导通电阻：32mΩ@36A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC320N20NS3 G

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB107N20N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：87nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：7100pF@100V

连续漏极电流：88A

类型：N沟道

导通电阻：10.7mΩ@88A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB107N20N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：87nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：7100pF@100V

连续漏极电流：88A

类型：N沟道

导通电阻：10.7mΩ@88A，10V

漏源电压：200V

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包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB320N20N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2V

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB117N20NFD

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：87nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：84A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1000psc

规格型号(MPN)：IPB107N20N3 G

导通电阻：10.7mΩ@88A，10V

连续漏极电流：88A

阈值电压：4V@270µA

包装方式：Reel

类型：N沟道

栅极电荷：87nC@10V

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

输入电容：7100pF@100V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：BSC320N20NS3 G

包装方式：Reel

输入电容：2350pF@100V

工作温度：-55℃~150℃

栅极电荷：29nC@10V

类型：N沟道

连续漏极电流：36A

功率：125W

导通电阻：32mΩ@36A，10V

阈值电压：4V@90µA

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB117N20NFD

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：87nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：84A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB107N20N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：87nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：7100pF@100V

连续漏极电流：88A

类型：N沟道

导通电阻：10.7mΩ@88A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS2672

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：2V

栅极电荷：43nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3.9A

类型：MOSFET

导通电阻：70mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB107N20N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：87nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：7100pF@100V

连续漏极电流：88A

类型：N沟道

导通电阻：10.7mΩ@88A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC320N20NS3 G

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：4V@90µA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：2350pF@100V

连续漏极电流：36A

类型：N沟道

导通电阻：32mΩ@36A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS2672

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

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栅极电荷：43nC

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连续漏极电流：3.9A

类型：MOSFET

导通电阻：70mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB320N20N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2V

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS2672

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：2V

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包装方式：Reel

连续漏极电流：3.9A

类型：MOSFET

导通电阻：70mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS2672

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：2V

栅极电荷：43nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3.9A

类型：MOSFET

导通电阻：70mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB117N20NFD

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：87nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：84A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB107N20N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：87nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：7100pF@100V

连续漏极电流：88A

类型：N沟道

导通电阻：10.7mΩ@88A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1