品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":14032,"23+":3700}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS31N20DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€200W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":14032,"23+":3700}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS31N20DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€200W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€180W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:72nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS31N20DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€200W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":14032,"23+":3700}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS31N20DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€200W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":14032,"23+":3700}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS31N20DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€200W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":14032,"23+":3700}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS31N20DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€200W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":14032,"23+":3700}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS31N20DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€200W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":14032,"23+":3700}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS31N20DTRLP
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W€200W
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@18A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
输入电容:2370pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
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导通电阻:75mΩ@15.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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