采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7450DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
