品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€139W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@9.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:19A
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@9.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:3.13W€139W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: