采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4020TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6005，"MI+"：5281}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6005，"MI+"：5281}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6005，"MI+"：5281}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4020TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6005，"MI+"：5281}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4020TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6005，"MI+"：5281}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
