采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD450
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：6V@250µA
栅极电荷：3.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.8A，15V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD450
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：6V@250µA
栅极电荷：3.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.8A，15V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：30174，"MI+"：1000，"11+"：2000，"06+"：14000，"14+"：1208，"15+"：1000，"16+"：1200}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD450
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：6V@250µA
栅极电荷：3.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.8A，15V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD450
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：6V@250µA
栅极电荷：3.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.8A，15V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD450
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：6V@250µA
栅极电荷：3.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.8A，15V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
