采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200B211
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4.9V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ120N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：111，"22+"：5243}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200B211
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4.9V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200B211
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4.9V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ120N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
