品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260MPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB38N20DPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.9nF@25V
连续漏极电流:43A
类型:1个N沟道
导通电阻:54mΩ@10V,26A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFB38N20DPBF
栅极电荷:91nC@10V
输入电容:2.9nF@25V
连续漏极电流:43A
导通电阻:54mΩ@10V,26A
类型:1个N沟道
功率:3.8W€300W
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRL640A
功率:110W
导通电阻:180mΩ@5V,9A
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
输入电容:1.705nF@25V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:56nC@5V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB38N20DPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.9nF@25V
连续漏极电流:43A
类型:1个N沟道
导通电阻:54mΩ@10V,26A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB38N20DPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.9nF@25V
连续漏极电流:43A
类型:1个N沟道
导通电阻:54mΩ@10V,26A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB38N20DPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.9nF@25V
连续漏极电流:43A
类型:1个N沟道
导通电阻:54mΩ@10V,26A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRL640A
功率:110W
导通电阻:180mΩ@5V,9A
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
输入电容:1.705nF@25V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:56nC@5V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
类型:1个N沟道
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
连续漏极电流:9.5A
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFB4127PBF
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
导通电阻:20mΩ@10V,44A
类型:1个N沟道
功率:375W
漏源电压:200V
连续漏极电流:76A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF640SPBF
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
输入电容:1.3nF@25V
导通电阻:180mΩ@11A,10V
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFU210PBF
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:2.6A
ECCN:EAR99
导通电阻:1.5Ω@10V,1.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: