采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6000，"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2874}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLM220ATF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：1.13A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@570mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
