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    漏源电压: 200V
    类型: N沟道
    行业应用: 工业
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    当前匹配商品:2600+
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB30NF20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1597pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5801TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL210TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:960mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@580mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2002A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:733pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP52N20 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP52N20 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP52N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@26A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF630PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@400µA

    栅极电荷:14nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:660mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@660mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI630GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI630GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLI630GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.7A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@13µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:225mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N20NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N20NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@30µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@100V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP250PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP250PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP250PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@18A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3320FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3320FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3320FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:60mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@100mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7464DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF10N20C 起订50个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF10N20C 起订50个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF10N20C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@4.75A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC900N20NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC900N20NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@30µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB19N20LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€140W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ12DN20NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ12DN20NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ12DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@25µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7820TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7820TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7820TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@100V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD210PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD210PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD210PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@400µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:660mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@660mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF610PBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF610PBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF610PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC2610

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:2.2A€9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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