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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107PSTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107PSTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107PSTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107PSTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN20B28KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：358pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107PSTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
