品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR210TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V
功率:2.5W€25W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM90330E-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:35.1A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
输入电容:1172pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2672
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:70mΩ@3.9A,10V
输入电容:2535pF@100V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR610DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
输入电容:1380pF@100V
漏源电压:200V
连续漏极电流:8.9A€39.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2672
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:70mΩ@3.9A,10V
输入电容:2535pF@100V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:260pF@25V
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:260pF@25V
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS98DN-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.1A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@7.5V
类型:N沟道
输入电容:608pF@100V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:105mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM90140E-GE3
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4132pF@100V
类型:N-Channel
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:17mΩ@30A,10V
功率:375W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD19N20-90-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:51nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:1800pF@25V
导通电阻:90mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
输入电容:300pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR210TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V
功率:2.5W€25W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:260pF@25V
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR690DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:37nC@7.5V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:34.4A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL210TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@580mA,10V
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
连续漏极电流:960mA
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM65N20-30-E3
连续漏极电流:65A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
类型:N-Channel
导通电阻:30mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:5100pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL210TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@580mA,10V
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
连续漏极电流:960mA
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS98DN-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.1A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@7.5V
类型:N沟道
输入电容:608pF@100V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:105mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7172DP-T1-GE3
导通电阻:70mΩ@5.9A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:5.4W€96W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2250pF@100V
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF630STRLPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:800pF@25V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A
栅极电荷:43nC@10V
功率:3W€74W
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
输入电容:300pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM65N20-30-E3
连续漏极电流:65A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:5100pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF20
栅极电荷:39nC@10V
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
输入电容:940pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR210TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V
功率:2.5W€25W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
输入电容:1380pF@100V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:35.4A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR210TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V
功率:2.5W€25W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR210TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V
功率:2.5W€25W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM65N20-30-E3
连续漏极电流:65A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:5100pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
输入电容:300pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL210TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@580mA,10V
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
连续漏极电流:960mA
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: