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    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH60N20L2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH60N20L2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH60N20L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:234pF@100V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:725mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH60N20L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH60N20L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH60N20L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH60N20L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH60N20L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH60N20L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:234pF@100V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:725mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:234pF@100V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:725mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7450DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:234pF@100V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:725mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ60N20L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ60N20L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ60N20L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7450DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:234pF@100V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:725mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:234pF@100V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:725mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7450DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7450DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670 起订500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670 起订500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2670 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC2612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:234pF@100V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:725mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7450DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7450DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
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