品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP32N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@10V,14A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FQP32N20C
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阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@10V,14A
漏源电压:200V
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功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@10V,14A
漏源电压:200V
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功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@10V,14A
漏源电压:200V
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栅极电荷:110nC@10V
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输入电容:2.2nF@25V
功率:156W
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@10V,14A
连续漏极电流:28A
漏源电压:200V
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栅极电荷:110nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.2nF@25V
功率:156W
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@10V,14A
连续漏极电流:28A
漏源电压:200V
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