采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200S234
工作温度：-55℃~175℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6484pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@51A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200S234
工作温度：-55℃~175℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6484pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@51A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：1600，"MI+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200S234
工作温度：-55℃~175℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6484pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@51A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3.38nF@25V
连续漏极电流：61A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH120N20X4
工作温度：-55℃~175℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3.38nF@25V
连续漏极电流：61A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3.38nF@25V
连续漏极电流：61A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：173600，"23+"：75200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200S234
工作温度：-55℃~175℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6484pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@51A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：173600，"23+"：75200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200S234
工作温度：-55℃~175℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6484pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@51A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF200S234
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6484pF@50V
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：16.9mΩ@51A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：61A
阈值电压：5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：3.38nF@25V
导通电阻：41mΩ@10V，30.5A
类型：1个N沟道
功率：417W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP61N20
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：61A
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA70N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3970pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA70N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3970pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
