品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88584Q5DCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12400pF@20V
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:0.95mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:274A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.96mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:274A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@15V
连续漏极电流:274A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@15V
连续漏极电流:274A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€150W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€150W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€150W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€150W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":551}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.96mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: