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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ136ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ136ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ136ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8015pF@25V

    连续漏极电流:350A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.12mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146ELP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146ELP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ146ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@20V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@20V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C454NLTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C454NLTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C454NLWFTAG 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C454NLWFTAG 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P4L04ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P4L04ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C454NLWFTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C454NLWFTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146ELP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146ELP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ146ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€3.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:24mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18512Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18512Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18512Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7120pF@20V

    连续漏极电流:211A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS434DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@16.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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