采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4904DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4909DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：27mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418AEEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4554DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.2W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@6.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：553pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8P4LLF6
工作温度：150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7D25-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4904DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4284EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8107，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4909DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：27mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4284EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
