品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2151pF@20V
连续漏极电流:15A€75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2151pF@20V
连续漏极电流:15A€75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€115.4W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:29.7A€174A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€115.4W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:29.7A€174A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4444P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:14A€70A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@25V
连续漏极电流:31A€192A
类型:N沟道
导通电阻:1.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@25V
连续漏极电流:31A€192A
类型:N沟道
导通电阻:1.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4444P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:14A€70A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7434TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:324nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10820pF@25V
连续漏极电流:195A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":760,"22+":16962,"23+":87275,"24+":5376}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S52R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R6-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:94.3W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€115.4W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:29.7A€174A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€115.4W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:29.7A€174A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€115.4W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:29.7A€174A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2151pF@20V
连续漏极电流:15A€75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1044pF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: