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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5948DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：82mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4840
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.71W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4840
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.52W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4840
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4840
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.52W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.52W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.52W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4840
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.71W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.52W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.52W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4840
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.71W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.52W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.71W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
