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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4443-ES
功率：200mW
阈值电压：1.55V@250μA
栅极电荷：13.5nC
输入电容：660pF
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：65pF
导通电阻：38mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SPSQ-13-2485
类型：1个P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4485
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：10.5mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4485
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：10.5mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SPSQ-13-2485
类型：1个P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：13mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4485
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：10.5mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4185-ES
功率：52W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：13mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4185-ES
功率：52W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：13mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SPSQ-13-2485
类型：1个P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：13mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4185-ES
功率：52W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：13mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：13mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE40P40K-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5V，15A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SPSQ-13-2485
类型：1个P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SPSQ-13-2485
类型：1个P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2121
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.3A
漏源电压：40V
阈值电压：2.2V@250μA
导通电阻：33mΩ@10V，4.4A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE40P40K-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5V，15A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE40P40K-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5V，15A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
