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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
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功率：3.5W€7.8W
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栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
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功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
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输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
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功率：1.2W€56W
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栅极电荷：55nC@10V
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输入电容：2800pF@10V
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类型：P沟道
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导通电阻：17mΩ@18A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
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功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
导通电阻：17mΩ@18A，10V
工作温度：175℃
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
功率：1.2W€56W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
输入电容：4230pF@20V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
连续漏极电流：36A
功率：3.5W€7.8W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：590pF@25V
漏源电压：40V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：36A
功率：28W
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
反向传输电容：8pF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
阈值电压：2.2V@20μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
