品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@20V
连续漏极电流:9A€39A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€39.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@20V
连续漏极电流:9A€39A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@20V
连续漏极电流:9A€39A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@20V
连续漏极电流:9A€39A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@20V
连续漏极电流:9A€39A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€39.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€39.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@20V
连续漏极电流:9A€39A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@20V
连续漏极电流:9A€39A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@20V
连续漏极电流:9A€39A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@20V
连续漏极电流:9A€39A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€39.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1135pF@20V
阈值电压:4V@250µA
功率:2.4W€48W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9A€39A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:9A€37A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
功率:2W€33W
输入电容:1040pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1135pF@20V
阈值电压:4V@250µA
功率:2.4W€48W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9A€39A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P-AU_R2_000A1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:9A€37A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€39.6W
导通电阻:15mΩ@8A,10V
输入电容:1040pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:2.2V@22µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:2.2V@22µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: