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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-08-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：159nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5380pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P-Channel
导通电阻：8.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-08-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：159nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5380pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P-Channel
导通电阻：8.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-08-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：159nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5380pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P-Channel
导通电阻：8.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-08-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：159nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5380pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P-Channel
导通电阻：8.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-08-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：159nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5380pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-08-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：159nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5380pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P-Channel
导通电阻：8.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-08-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：159nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5380pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P-Channel
导通电阻：8.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
栅极电荷：9.2nC@4.5V
连续漏极电流：50A
功率：3.1W€77W
输入电容：1656pF@20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
输入电容：3350pF@20V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：5.2W€69W
连续漏极电流：50A
栅极电荷：90nC@10V
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
