品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2030pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3419AEEV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@20V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13980pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4011SPSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2747pF@20V
连续漏极电流:11.7A€76A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6675pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6675pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.14W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@20V
连续漏极电流:17.3A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A€35A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4010SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: