品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G300N04L
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
功率:2.4W€64.9W
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
功率:2.4W€64.9W
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: